Tuotteen ominaisuudet

01/

Suurvirtakapasiteetti (1,0 A)
Huomattavasti korkeampi virtaluokitus verrattuna tavallisiin HV-diodeihin.

02/

Nopea palautus korkean{0}}taajuuden käyttöön
Maksimi 150nS:n käänteinen palautumisaika mahdollistaa nopeat-kytkentäsovellukset, minimoi kytkentähäviöt korkeataajuisissa-piireissä, tukee tehokasta toimintaa kytkin-tilavirtalähteissä

03/

Korkea ylijännitesuojaus
Huippuylijännite 50 A tarjoaa erinomaisen suojan CRT-purkaustapahtumia ja käynnistystransientteja vastaan, varmistaa luotettavan toiminnan äkillisten kuormitusmuutosten tai -käynnistysolosuhteiden aikana. Suunniteltu erityisesti CRT-purkausvastukseen

04/

Matala vuotovirta
Ultra-alhainen 5 μA:n käänteinen vuoto 25 asteessa takaa minimaalisen valmiustilan tehohäviön, säilyttää suorituskyvyn jopa 50 μA 100 asteessa korkean-lämpötilojen luotettavuuden takaamiseksi, parantaa korkean impedanssin piirien tarkkuutta-

05/

Matala lähtöjännitehäviö
Maksimi 9,0 V lähtöjännite vähentää johtavuushäviöitä, mahdollistaa viileämmän toiminnan, eliminoi tilaa vievien jäähdytyselementtien tarpeen monissa sovelluksissa, parantaa järjestelmän yleistä tehokkuutta

06/

Korkean-luotettavuuden suunnittelu
Epoksihartsivalettu rakenne ympäristön suojelemiseksi, nopea{0}}kytkentä optimoitu vaativiin sovelluksiin, korkea jänniteluokitus ja vankka valmistuslaatu

07/

Laaja käyttölämpötila-alue
Liitoslämpötila jopa 120 astetta tai enemmän vaativiin ympäristöihin, Varastointilämpötila -40 asteesta +155 asteeseen

Erittely

Sähköiset ominaisuudet (Tamb=25 aste, ellei toisin mainita)	Symboli	ehdot	Nimellisarvo	Yksikkö
Toistuva huippukäänteinen jännite	V_RRM		3	KV
Keskimääräinen eteenpäinvirtaus max.	I_O	@öljy T_tauko=50 astetta	1	A
Max. Ylijännitevirta	I_FSM		50	A
Max. Eteenpäin jännitehäviö	V_FM	Ta{0}} astetta	9	V
Max. Käänteinen palautumisaika	trr	I_F=2mA, I_R=4mA	150	nS
Max. Käänteinen virta	I_RRM		5.0	μA
Max. Lämpötilaliitos	T_J		130	tutkinnon
Varastointilämpötila-alue	Tstg		-40-+130	tutkinnon

Pakkauksen ääriviivamitat

product-304-130

SYMBOLI	MIN		MAX
	sisään	mm	sisään	mm
B	-	-	0.354	9
C	-	-	0.197	5
A	0.866	22	-	-
D	-	-	0.0504	1.28

BR-F-sarja 2-10KV 0,4-1A 150nS

Tyyppi	Nimelliset arvot			Temp. Kunto		Sähköinen ominaisuus [Ta=25tutkinnon, kaikki ovat enimmäisarvoja]			Ulottuvuus
	VRRM	IF(AV)	IFSM	Tj	Tstg	VF	IR1	Trr	*φbodyL, φlyijy**
	VRRM	IF(AV)	IFSM	Tj	Tstg	[IF=IF(AV)]	[VR=VRRM]	Trr	*φbodyL, φlyijy**
	KV	A	A	tutkinnon	tutkinnon	V	μA	μS	mm
BR2F	2	1	50	120	-40~+120	9	5	0.15	Φ5*9/Φ1.2
BR3F	3	1	50	120	-40~+120	9	5	0.15	Φ5*9/Φ1.2
BR4F	4	0.8	50	120	-40~+120	11	5	0.15	Φ5*9/Φ1.2
BR5F	5	0.8	50	120	-40~+120	14	5	0.15	Φ5*9/Φ1.2
BR10F	10	0.4	50	120	-40~+120	25	5	0.15	Φ5*9/Φ1.2

Sovelluskentät

Sovellusalue	Erityiset käyttötapaukset
Lääketieteelliset laitteet	• Röntgenvirtalähteet (X-valovirtalähde) • Lääketieteellinen kuvantaminen HV-korjaus
Teollisuuselektroniikka	• Korkeajännitteiset{0}}virtalähteet • Jännitteen kaksinkertaistuspiirit • Teollinen HV-tasasuuntaus
Laserjärjestelmät	• Laservirtalähteen tasasuuntaus • Pulssilaserohjaimet
Mikroaaltouuni ja RF	• Mikroaaltosäteilyn virtalähteet • Magnetronin ohjainpiirit
Kulutuselektroniikka	• CRT-näyttöpiirit (suuri jännitysvastus CRT-purkaukselle) • Television HV-tasasuuntaus
Tehoelektroniikka	• Korkean taajuuden-kytkin-virtalähteet • Kondensaattorin latauspiirit • HV-puristus- ja suojapiirit

Suositut Tagit: br3f hv -diodi, Kiina br3f hv -diodien valmistajat, toimittajat

BR3F HV diodi

Tuotteen ominaisuudet

Erittely

BR-F-sarja 2-10KV 0,4-1A 150nS

Sovelluskentät

Saatat myös pitää

Lähetä kysely